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Powder
Powder(소재)

LTCC用 Powder(RNE-40)는 Glass Free로써, 낮은 유전손실 값을 가지기 때문에,
High-Q Capacitor, Bluetooth & W-LAN Filter, Duplexer 등의 다양한 부품군에 적용 할 수 있습니다.

LTCC用 Tape는 다양한 원재료와 첨가제의 조성별 활용 및 경험을 바탕으로 30 ~ 250 ㎛의 넓은 범위의
두께 제작이 가능하여, 여러 부품군에 언제든지 적용할 수 있는 준비가 되어있습니다.

6G 통신용 부품
6G 후보 주파수 대역

5G/6G 통신용 소재에 대응하기 위해 저유전·저손실 특성 확보가 필요하며, 고주파 대역에서 특성이 안정화된 세라믹 소재 확보 및 합성 기술을 내재화 하였고 표면 개질 엔지니어링을 통하여 최적의 소재를 개발 하였습니다.

유전특성의 향상을 위해 내열성과 내구성이 확보된 Polymer와 복합체를 구성하여 다양한 산업군에 활용가능한 소재를 개발하고 있습니다. 또한, 고속/집적화 모듈에 필요한 방열특성 향상을 위한 소재개발도 병행하고 있습니다

Action item
  • mm-Wave 통신 대역 저유전 · 저손실 세라믹 조성 설계 및 합성
  • 유전체 세라믹 나노입자 표면 활성화 기술
  • 유무기 하이브리드 저유전 · 저손실 소재 합성
1st Treatment
2nd Treatment
Ceramic-Polymer Mixture
Ceramic-Polymer
Composite Sheet

소재 및 공정

저손실
  • 전기전도 특성 뛰어난
    은 전극 사용
  • 유전손실값 적은 자체개발
    세라믹 재료 사용
기구적 신뢰성
  • 반도체 센서와 열팽창계수
    유사
  • 센서패키징 용도로 PCB 대비
    기구적 신뢰성 우수
RN2 전문기술력
  • 원재료부터 설계, 가공까지
    자체기술력 확보
  • 프로젝트에 따라 최적화된
    재료와 공정 선정 가능
3D 다층회로 구현
  • Build-up Via 공정 용이
  • 10 Layer 이상 다층회로
    구현 용이

Road Map

  • PRESENT (5G)
  • NEXT-GENERATION (5G-A)
  • FUTHER EVOLUTION
Coverage Area
2024 2025 2026 2027 2030
Low band <1GHz &Service
Lower-Mid Band 1~7GHz Sample Service Service
Upper-Mid Band 7~24GHz Sample
High Band >24GHz TBD
Material
LTCC Composite LTCC Composite Composite
유전율 - 7.8 <4 6.9 <3.5 <3
유전손실 - <0.0015 <0.005 <0.001 <0.003 ≒0.001
Tg >600 >100 >600 >120 >120
Td - >300 - >400 >400
CTE ppm/℃ 5.8 15~20 5.3 10~15 10~15
열전도도 W/(m⋅K) 3.3 0.5 4.6 2~3 2~3
흡습률 % - 0.2~0.4 - <0.2 <0.2
휨강도 Mpa 320 - 230 - -
박리강도 kgf/cm - >1 - >1 >1
Circuit
패턴 Line/space 100/100 100/100 100/100 50/50 50/50
비저항 uΩ·㎝ <3 <20 <3 <5 <5
부착력 - - 5B 5B 5B 5B
Foundry Service
Foundry Service

Foundry Service는 고객이 제공하는 제품 설계 Design에 맞추어 당사가 LTCC 세라믹 공정을 이용하여 제품을 제작, 공급하는 사업입니다. 당사의 원천 LTCC 세라믹 소재 및 소재 제조 기술, 그리고 20년 이상의 LTCC 공정 기술이 기반이 되어 고객들에게 제품 제조 서비스를 제공하고 있습니다.

LTCC는 플라스틱 PCB대비 강도가 높고 내열성이 뛰어난 소재이며, 극한 환경에 한계가 있는 소재에 경쟁력을 갖춘 PCB 소재입니다.
또한, 당사는 축적된 기술력과 글로벌 비즈니스 경험을 토대로 고객의 시장 진입 경쟁력을 위해 공급 시간 단축, 가격 경쟁력, 품질 신뢰성을 확보하고 있습니다.

강점 (Strength)
  • 원료부터 기판까지 전체 생산라인 구축
  • 100% 전량 검사, 품질 보증
  • 소재&회로&공정 설계 능력 확보
  • 축적된 기술력과 글로벌 비즈니스 경험
  • 빠른 대응 (일반 PO의 경우 리드타임 6주)

Wire Boarding Pad

Item Standard
a Pad width Min 200 um
b Pad space Min 100 um
c Pad to Cavity Min 200 um
A Pad Pitch accuracy ST ± 10%
B Pad Pitch accuracy
(Outer to Outer)
ST ± 10%
ST: Size Tolerance

Flip Chip Pad

Item Standard
a Pad diameter C + 100 um
b Pad Pitch a × 3
c Via diameter Min 100 um
d Distance between pad
(Right end to Left end)
ST ± 10%
ST: Size Tolerance

Exposed signal & Buried signal conductor

Item Standard
a Via diameter Min 100 um
b Via hole cover diameter Via dia + 100 um
c Via hole pitch a × 4
d Via cover to line Min 125 um
e Via cover to substrate edge Min 150 um
f Via cover to cavity edge Min 150 um
Item Standard
g Line width Min 100 um
h Line spacing Min 100 um
i Line to substrate edge Min 150 um
j Line to cavity edge Min 200 um
k Castellation to line Min 300 um
l Castellation to line Min 300 um
ST: Size Tolerance

Ground Plane

Item Standard
K Line to GND Min 150 um
L Isolation gap Min 200 um
M Solid plane Min 200 um
N Cavity edge to GND Min 300 um
O Substrate edge to GND Min 300 um
ST: Size Tolerance

Cavity Design

Item Standard
a Substrate edge to cavity edge Min 2.0 mm
b Cavity to cavity gap Min 2.0 mm
c Cavity width Min 2.5 mm
d Cavity height Min 0.5 mm
e Thickness under the cavity Min 1.0 mm
ST: Size Tolerance